DMN2025UFDB-13

作为一款采用先进U-DFN2020-6封装的双N沟道MOSFET阵列，DMN2025UFDB-13集成了两个性能一致的独立MOSFET单元。其核心架构基于Diodes Incorporated优化的平面工艺技术，在微小的封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。该器件采用紧凑的6引脚UDFN封装，不仅大幅节省了PCB空间，其底部裸露的散热焊盘也显著提升了热传导效率，确保在持续高负载工作下的可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其低导通电阻与快速开关性能上。在4.5V栅极驱动电压下，其导通电阻（RDS(on)）典型值低至25毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为12.3nC，结合较低的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动电路所需能量更少，能够实现更快的开关速度，有效减少开关过渡过程中的损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，确保了与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，DMN2025UFDB-13的漏源击穿电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）在环境温度下可达6A，最大功耗为700mW。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的工业环境。这些参数共同定义了一个高效、强健的功率开关解决方案。对于需要可靠供应链保障的批量项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与稳定供货的重要途径。

基于上述特性，DMN2025UFDB-13非常适用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括便携式设备的负载开关与电源管理、DC-DC转换器中的同步整流和功率开关、电机驱动模块中的H桥电路，以及各类电池保护板。其双通道集成的设计尤其适合需要多路独立控制或构成半桥/全桥拓扑的场合，为设计工程师提供了高集成度、高性能的灵活选择。

• 型号:DMN2025UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:486pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
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