DMN2027UPS-13

DMN2027UPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，在有限的占板面积内集成了高效的功率处理能力，其结构优化了电流通路与热传导路径，为高密度电源设计提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至12.5毫欧（在9.4A条件下），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为11.6nC @ 4.5V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.3V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或低压驱动器直接控制。

在接口与关键参数方面，DMN2027UPS-13具备20V的漏源击穿电压（Vdss），可承受高达10A（环境温度Ta下）或36A（壳温Tc下）的连续漏极电流。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。表面贴装的PowerDI5060封装不仅节省空间，其优化的热性能也有助于将芯片产生的热量高效散发至PCB。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取该产品及其完整的技术支持。

凭借其低Rds(On)、高电流能力和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的负载开关、电源管理模块（PMIC）的同步整流侧，以及各类便携式设备的DC-DC转换器。此外，在低压电机驱动、电池保护电路和分布式电源架构的POL（负载点）转换器中，它也能发挥关键作用，是实现紧凑、高效现代电子系统的理想选择。

• 型号:DMN2027UPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1091 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMN2027UPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。