DMN2028UFDF-13

DMN2028UFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的制造工艺，在20V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的电气性能，尤其适合低压、大电流的开关应用。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通损耗。在4.5V的栅极驱动电压（Vgs）和4A的漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为25毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为18nC @ 8V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗和开关延迟时间得以大幅减少，使其能够胜任高频开关操作。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，确保了在低至1.5V的驱动电压下也能实现良好的导通，兼容低压逻辑电平驱动，简化了驱动电路设计。

在接口与参数方面，DMN2028UFDF-13的连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达7.9A，最大栅源电压（Vgs）为±8V，提供了安全的操作裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，确保了其在严苛环境下的可靠性和自动化生产的便利性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能参数组合，该器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的DC-DC同步整流或功率路径控制、电机驱动中的H桥电路下管，以及各类低压大电流的功率转换模块。其出色的开关特性也使其成为高频降压（Buck）转换器中理想的上管或下管选择，能够有效提升电源系统的功率密度和动态响应速度。

• 型号:DMN2028UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:907 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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