DMN2028USS-13

DMN2028USS-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，集成于紧凑的8引脚SO封装内。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件在栅极结构上进行了精细化处理，确保了栅极电荷Qg和输入电容Ciss处于较低水平，这对于提升开关效率、降低驱动损耗至关重要，使其在需要高频操作的电路中表现出色。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压Vdss为20V，在25°C环境温度下连续漏极电流Id可达7.3A，提供了稳健的电流处理能力。其导通电阻Rds(on)在驱动电压Vgs为4.5V、漏极电流Id为9.4A的条件下，典型值仅为20毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量，提升了系统的整体能效。同时，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为1.3V，且驱动电压范围宽至1.5V至4.5V，使其能够与多种低压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了外围电路设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型（SMT）的8-SO封装，符合现代电子设备高密度组装的要求。其最大栅源电压Vgs为±8V，提供了足够的栅极保护裕量。关键的动态参数，如栅极电荷Qg最大值仅为11.6nC @ 4.5V，以及输入电容Ciss最大值为1000pF @ 10V，共同决定了其快速的开关瞬态响应能力，有助于减少开关过程中的电压电流重叠损耗。器件的结温工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，并能在环境温度Ta下耗散最大1.56W的功率，确保了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。

基于其优异的性能组合，DMN2028USS-13非常适合应用于对效率和空间均有要求的场景。它常被用于低压DC-DC同步整流转换器中的同步整流管或控制开关，能有效提升电源模块的转换效率。此外，在电机驱动、电池保护电路、负载开关以及各类便携式设备、计算设备和消费电子产品的电源管理单元中，它都能作为高效、可靠的功率开关元件，为系统的小型化和能效提升做出贡献。

• 型号:DMN2028USS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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