DMN2028UVT-7

Diodes Incorporated推出的DMN2028UVT-7是一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管，其核心架构基于优化的金属氧化物半导体工艺。该器件在紧凑的TSOT-26封装内实现了优异的电气性能平衡，其设计重点在于降低导通损耗与提升开关效率。通过精心的芯片布局与热设计，它在有限的物理空间内有效管理功率耗散，确保在宽温范围内稳定工作，结温最高可达150°C，这使其成为高密度PCB设计的理想选择。

该MOSFET的显著特性体现在其低导通电阻与高电流处理能力上。在4.5V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为24毫欧，连续漏极电流（Id）可达6.2A。这种低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V，并与2.5V至4.5V的标准逻辑电平驱动兼容，便于由微控制器或低压数字电路直接控制，简化了驱动电路设计。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8.3nC，输入电容（Ciss）也得到有效控制，这共同促成了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并提升高频应用下的性能。

在接口与关键参数方面，DMN2028UVT-7规定了20V的漏源击穿电压（Vdss），为低压应用提供了充足的安全裕量。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±8V，增强了抗栅极过压冲击的鲁棒性。器件采用表面贴装型TSOT-26封装，不仅节省了宝贵的电路板空间，也符合现代自动化生产的要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

凭借上述综合性能，该器件非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的场景。其主要应用领域包括便携式设备的负载开关与电源管理、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动控制模块以及各类低压电池供电系统。其出色的能效比和紧凑的封装使其在智能手机、平板电脑、无人机和物联网终端等消费电子与工业产品中都能发挥关键作用。

• 型号:DMN2028UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:856 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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