DMN2029UVT-13

DMN2029UVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，集成了优化的单元结构，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性。其核心设计平衡了硅片面积与性能，在有限的封装尺寸内实现了高达6.8A的连续漏极电流处理能力，这使其成为空间受限的高密度电源和负载开关应用的理想选择。

该MOSFET的一个突出特性是其卓越的导通性能，在Vgs为4.5V、Id为6.2A的条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至24毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V，确保了与主流低压微控制器和逻辑电路的兼容性，能够被轻松驱动。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了在严苛环境下的可靠运行保障。对于需要稳定供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

在电气接口与参数方面，该器件设计用于表面贴装工艺，其TSOT-26封装符合现代自动化生产要求。虽然部分动态参数如栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）未在基础规格中详细列出，但其低导通电阻特性通常与优化的内部电容相关联，有助于实现快速的开关瞬态响应。工程师在设计驱动电路时，应参考完整的数据手册以获取精确的开关特性曲线和热阻参数，从而优化布局与散热设计。

凭借其高电流能力、低导通损耗和微型封装，DMN2029UVT-13非常适合应用于对效率和空间有双重要求的场景。其主要应用领域包括便携式设备的电源管理模块、如智能手机和平板电脑中的负载开关与DC-DC转换器同步整流；在电机控制中，可用于驱动小型有刷直流电机或作为H桥的开关元件；此外，它也常见于USB电源分配、电池保护电路以及各类需要高效功率切换的消费电子和工业控制模块中。

• 型号:DMN2029UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:646 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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