DMN2036UCB4-7

作为一款采用先进封装技术的功率器件，DMN2036UCB4-7集成了两个N沟道MOSFET，采用共漏极配置，构成了一个紧凑且高效的开关阵列。其核心架构基于Diodes Incorporated成熟的工艺技术，在极小的X2-WLB1616-4封装内实现了双路独立的功率开关功能。这种共漏极设计简化了电路布局，特别适用于需要同步控制或进行负载切换的应用，为设计工程师提供了更高的集成度和设计灵活性。

该器件的一个显著功能特点是其极低的栅极电荷，在Vgs为4.5V时，Qg最大值仅为12.6nC。这一特性直接转化为卓越的开关性能，意味着在高速开关应用中，驱动损耗被显著降低，系统整体效率得以提升。同时，其最大功耗为1.45W，结合宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C），确保了器件在严苛环境下的可靠性与稳定性。表面贴装型的WLBGA封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了散热路径，适合高密度组装。

在接口与参数方面，该MOSFET阵列专为低电压、高频率的开关场景优化。其设计重点在于最小化开关损耗而非追求极高的电流承载能力，这使得它在需要快速响应和高效能转换的电路中表现出色。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户，通过DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗和获取完整技术资源的可靠途径。器件的电气参数共同指向一个核心目标：在紧凑的空间内提供高效、快速的功率切换解决方案。

基于上述特性，DMN2036UCB4-7非常适合于空间受限的便携式电子设备、电池管理系统中的负载开关、电源路径管理以及低侧开关驱动等应用场景。在智能手机、平板电脑、可穿戴设备及各种物联网终端中，它可以有效管理电源分配，实现高效的功率控制，有助于延长设备的电池续航时间并提升系统可靠性。

• 型号:DMN2036UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-WLB1616-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:1.45W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-XFBGA，WLBGA
• 供应商器件封装:X2-WLB1616-4
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