DMN2041LSD-13

DMN2041LSD-13是Diodes Incorporated推出的一款采用8引脚SOIC封装的双N沟道增强型功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门控MOSFET，其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供高效率的功率开关性能。这种双通道集成设计不仅节省了宝贵的PCB空间，还简化了电路布局，特别适用于需要多路同步或独立控制的紧凑型应用。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)为20V，能够满足常见的低压电源轨应用需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值高达7.63A，展现了强大的电流处理能力。尤为关键的是，在Vgs为4.5V、Id为6A的条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为28毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。此外，作为逻辑电平器件，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1.2V，确保了其能够被3.3V或5V的微控制器GPIO端口轻松且可靠地驱动，无需额外的电平转换电路。

在动态性能方面，该器件在Vgs为10V时的总栅极电荷(Qg)最大值仅为15.6nC，同时输入电容(Ciss)最大值也控制在550pF。这些低电荷参数共同作用，显著降低了开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而实现更高的开关频率和更快的开关速度，这对于提升DC-DC转换器或电机驱动电路的响应速度至关重要。其最大功耗为1.16W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。表面贴装的封装形式符合现代自动化生产要求，便于大规模制造。

凭借其集成化、高效率和高驱动兼容性的特点，DMN2041LSD-13非常适合应用于空间受限且对效率有高要求的场景。典型应用包括但不限于：便携式设备中的负载开关与电源路径管理、低压DC-DC同步整流或转换电路、电机驱动模块中的H桥或半桥电路、电池保护电路以及各类需要多路开关功能的消费电子和工业控制产品。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

• 型号:DMN2041LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.63A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.16W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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