DMN2046U-13

DMN2046U-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一指标直接关系到开关效率与热性能的平衡。该器件采用标准的表面贴装工艺，便于自动化生产并节省宝贵的PCB空间。

在电气特性方面，该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为20V，能够可靠地工作在常见的12V及以下的低压系统中。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达3.4A，展现出强大的电流处理能力。尤为突出的是其低导通电阻特性，在驱动电压Vgs为4.5V、漏极电流Id为3.6A的条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至72毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为1.4V，结合2.5V至4.5V的推荐驱动电压范围，使其能够与绝大多数现代微控制器（MCU）和逻辑电平电路直接兼容，简化了驱动电路设计。

器件的动态特性同样出色，在Vgs=4.5V条件下的总栅极电荷（Qg）仅为3.8nC，同时输入电容（Ciss）也维持在较低水平。这些低电荷参数意味着在开关过程中所需的驱动能量更小，可以实现更快的开关速度和更高的开关频率，从而减少开关损耗，特别适用于高频PWM应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取正品器件与技术支持。

凭借其紧凑的封装、优异的电气性能和高可靠性，DMN2046U-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。典型应用包括便携式设备中的负载开关、电源管理模块的DC-DC转换器同步整流侧、电机驱动电路中的H桥下管，以及电池保护电路等。它是工程师在低压、中电流场景下实现高效功率切换的优选解决方案。

• 型号:DMN2046U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:292 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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