DMN2056U-13

DMN2056U-13是一款由Diodes Incorporated设计和制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能，其核心设计旨在提供高效的功率开关功能。其结构基于硅基MOSFET技术，通过优化沟道和栅极结构，实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，这对于提升系统效率和降低功耗至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs为4.5V、Id为3.6A的条件下，典型值仅为38毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使其在开关应用中能够显著减少发热，提升整体能效。同时，其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）也是关键优势，栅极电荷最大值仅为4.3nC @ 4.5V，输入电容最大值为339pF @ 10V。这些参数共同确保了快速的开关速度，降低了驱动电路的功率需求，并有助于简化栅极驱动设计，提升系统在高频工作下的性能。

在电气参数方面，DMN2056U-13具备20V的漏源击穿电压（Vdss），在环境温度25°C下可支持高达4A的连续漏极电流。其栅源驱动电压范围宽泛，标准逻辑电平驱动（如1.5V至4.5V）即可使其充分导通，同时栅源电压最大耐受值为±8V，提供了良好的设计余量。器件的阈值电压Vgs(th)最大值为1V @ 250A，确保了可靠的开启与关断控制。其最大功耗为940mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。如需获取官方技术支持或批量采购，可通过DIODES授权代理渠道进行。

凭借其小型化封装、高效率与快速开关能力，该器件非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。其主要应用领域包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的DC-DC转换器同步整流或功率路径管理、电机驱动控制电路中的预驱动或小功率驱动，以及各类电池供电设备中的功率分配与保护电路。其优异的性能使其成为现代紧凑型电子系统中实现高效功率控制的理想选择。

• 型号:DMN2056U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:339 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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