DMN2058UW-13

DMN2058UW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件，其核心架构针对低电压、高效率开关应用进行了优化。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，在紧凑的封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡，其设计重点在于降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其最大漏源电压(Vdss)为20V，在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)可达3.5A，为低压大电流应用提供了可靠的电流处理能力。其导通电阻表现优异，在10V栅源电压(Vgs)和3A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为42毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.2V，且驱动电压范围宽至1.8V至10V，使其能够与多种逻辑电平（包括1.8V、3.3V、5V等）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DMN2058UW-13的栅极总电荷(Qg)最大值仅为7.7nC，结合输入电容(Ciss)最大值为281pF，共同决定了其极低的开关损耗和快速的开关速度，这对于高频PWM应用至关重要。器件采用表面贴装型的SOT-323封装，占板面积小，适合高密度PCB布局。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并符合AEC-Q101汽车级标准，确保了在严苛环境下的高可靠性和长寿命。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品。

凭借其综合性能，该器件非常适合需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元(PMU)中的DC-DC同步整流或功率路径管理、电机驱动中的H桥电路下管，以及汽车电子中的辅助电源控制、LED驱动等。其小尺寸、高效率和宽温度范围特性，使其成为空间受限且对可靠性要求高的汽车电子和工业控制系统的理想选择。

• 型号:DMN2058UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:281 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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