DMN2065UWQ-7

作为一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率器件，DMN2065UWQ-7在紧凑的SOT-323封装内实现了优异的电气性能平衡。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的芯片设计与制程工艺，在确保高可靠性的前提下，显著降低了导通电阻与栅极电荷，这使其成为高效率功率转换与开关控制应用的理想选择。

该器件在20V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达3.1A的连续漏极电流。其关键性能优势体现在极低的导通损耗上，在4.5V栅极驱动电压、2A电流条件下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为56毫欧。同时，其栅极驱动要求宽松，阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，而最大栅极电荷（Qg）低至5.4nC @ 4.5V，这意味着它能够被快速开启与关断，有效降低开关损耗，并简化驱动电路的设计。其输入电容（Ciss）最大值也控制在400pF @ 10V，有助于进一步提升高频开关性能。

在接口与参数方面，DMN2065UWQ-7提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），确保了其在严苛环境下的稳定运行。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±12V，提供了足够的驱动安全裕量。器件采用标准的表面贴装SOT-323封装，功率耗散能力为700mW，非常适合高密度PCB布局。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取原厂正品与技术资料。

凭借其高效率、低损耗和快速开关的特性，该芯片广泛应用于便携式设备的电源管理模块、DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路以及各类需要精密功率控制的消费电子和工业产品中，是实现系统小型化与能效提升的关键元器件。

• 型号:DMN2065UWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 现在可以订购DMN2065UWQ-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。