DMN2170U-7

Diodes Incorporated推出的DMN2170U-7是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件采用标准的三引脚SOT-23-3表面贴装封装，为空间受限的现代电子设计提供了高集成度的解决方案。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和2.3A的连续漏极电流(Id)能力，使其能够胜任多种低压开关和功率管理任务。其关键优势在于极低的导通损耗，在驱动电压(Vgs)为4.5V、漏极电流为3A的条件下，导通电阻(Rds(on))典型值低至70毫欧，这直接转化为更高的系统效率和更低的发热量。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，并与1.5V至4.5V的低驱动电压范围良好匹配，意味着它可以被常见的微控制器GPIO口或低电压逻辑电路轻松且高效地驱动，简化了外围驱动电路的设计。

在动态特性方面，DMN2170U-7的输入电容(Ciss)在10V偏压下最大值为217pF，结合其较低的栅极电荷，共同确保了快速的开关切换速度，有利于在高频开关应用中降低开关损耗。器件的栅源电压可承受±12V，提供了良好的栅极保护余量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并能在环境温度下耗散最高600mW的功率，保证了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。

凭借其低导通电阻、低驱动电压和高电流处理能力的组合，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括便携式设备的负载开关、电源管理模块中的DC-DC转换器同步整流或功率开关、电机驱动控制电路，以及各类电池供电产品中的功率分配与保护电路。其SOT-23-3封装兼容主流的自动化贴装工艺，极大地提升了生产制造的便利性。

• 型号:DMN2170U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:217 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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