DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡。其沟道结构经过精心优化，在保证20V漏源电压额定值的同时，显著提升了载流子迁移效率，从而在紧凑的封装内实现了出色的电流处理能力与开关性能。

该MOSFET的一个突出特性是其卓越的低导通电阻表现，在4.5V栅源电压驱动下，仅需990毫欧即可导通100mA电流，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其极低的栅极电荷（最大值0.93nC @ 10V）与输入电容（最大值27.6pF @ 16V）使得开关速度极快，能显著降低开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频开关应用。其阈值电压Vgs(th)最大值为1V，配合1.5V至4.5V的宽范围低驱动电压，使其能够轻松兼容各类低电压逻辑电路和微控制器GPIO口直接驱动，简化了外围电路设计。

在电气参数方面，DMN21D2UFB-7B在25°C环境温度下可连续通过760mA的漏极电流，最大功率耗散为380mW。其栅源电压耐受范围为±12V，提供了足够的驱动安全裕量。该器件采用超小型的3-X1DFN1006表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了散热路径。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供应链的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是保障产品正品与供货及时性的可靠途径。

凭借其紧凑的尺寸、高效的性能与强大的可靠性，这款MOSFET非常适合集成到空间受限且对效率有高要求的便携式电子设备中。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理模块，如负载开关、DC-DC转换器的同步整流或功率路径管理。此外，在各类电池供电设备、小型电机驱动、LED背光驱动以及需要高速信号切换的模拟开关电路中，它都能发挥关键作用，是实现高密度、高性能电子系统设计的理想选择。

• 型号:DMN21D2UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):760mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.6 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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