DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，专为严苛的汽车电子和通用开关应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，在紧凑的SOT-23封装内实现了低导通电阻与高电流处理能力的平衡，这得益于精密的制造工艺和对沟道电阻（R_DS(on)）的严格控制。

该器件在仅1.8V的低栅极驱动电压下即可开始有效导通，并在4.5V时达到极低的110mΩ典型导通电阻（条件为2.5A， 4.5V），这一特性使其非常适合由微控制器或低电压逻辑电路直接驱动，能够显著降低开关损耗和导通损耗。其栅极电荷（Qg）最大值仅为2.3nC，结合188pF的典型输入电容，确保了快速的开关切换速度和低驱动损耗，有助于提升系统整体效率并简化栅极驱动电路设计。

在电气参数方面，DMN2230UQ-13具备20V的漏源击穿电压（V_DSS）和2A的连续漏极电流能力，栅源电压（V_GS）耐受范围为±12V，提供了稳定的工作窗口。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和600mW的功率耗散能力，确保了其在高温环境下的可靠运行。表面贴装的SOT-23封装形式，为空间受限的PCB布局提供了极大的便利。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其汽车级（Automotive）认证和稳健的性能，该MOSFET广泛应用于要求高可靠性的领域。典型应用场景包括汽车车身控制模块（BCM）中的负载开关、LED照明驱动、电机预驱电路、电池管理系统（BMS）中的保护开关，以及便携式设备、DC-DC转换器中的同步整流或负载切换电路。其优异的能效和可靠性使其成为现代电子系统中实现高效功率管理的理想选择。

• 型号:DMN2230UQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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