DMN2300UFB4-7B

Diodes Incorporated推出的DMN2300UFB4-7B是一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）架构，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。它采用了紧凑的X2-DFN1006-3封装，这是一种超小型的表面贴装型封装，极大地节省了PCB空间，使其成为高密度电路板设计的理想选择。

该芯片在电气性能上表现出色，其漏源电压（Vdss）为20V，能够满足多种低压应用场景的需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为1.3A，提供了稳定的电流处理能力。一个关键的性能指标是其低导通电阻，在Vgs为4.5V、Id为300mA的条件下，Rds(On)最大值仅为175毫欧。这种低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为950mV，而驱动电压范围覆盖1.5V至4.5V，使其能够兼容多种逻辑电平，易于被微控制器或低压数字电路直接驱动。

在动态特性方面，DMN2300UFB4-7B展现了优秀的开关性能。在Vgs为4.5V时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为1.6nC，输入电容（Ciss）在25V条件下最大值为64.3pF。这些低电荷和低电容参数意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于高频开关应用。器件的栅源电压（Vgs）最大耐受值为±8V，提供了安全的驱动裕量。其最大功率耗散为500mW，宽泛的工作结温范围从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购。

凭借其综合性能，该器件非常适合应用于空间受限且对效率有高要求的领域。其主要应用场景包括便携式设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电池管理电路，以及各类需要高效功率控制的消费类电子产品和嵌入式系统。其小型化封装和优异的电气参数，使其成为现代紧凑型电子设计中功率管理部分的优选解决方案。

• 型号:DMN2300UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 300mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:64.3 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• 现在可以订购DMN2300UFB4-7B，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。