DMN2400UFB-7

作为一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率器件，DMN2400UFB-7在微型化封装内实现了优异的电气性能平衡。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的沟道设计和制造工艺，在极低的栅极驱动电压下即可实现高效导通，这使其特别适合由低电压逻辑电路直接驱动的应用场景。

该器件在功能上展现出显著优势。其最大导通电阻（Rds(On)）在4.5V Vgs和600mA Id条件下仅为550毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，极低的栅极电荷（Qg）最大值0.5nC与输入电容（Ciss）最大值36pF共同决定了其卓越的开关特性，能够实现高速的开关频率，减少开关过渡过程中的能量损失，这对于高频DC-DC转换器或负载开关至关重要。其栅源电压（Vgs）阈值最大值为900mV，且支持低至1.8V的驱动电压，确保了与当今主流微控制器和数字ASIC的完美兼容。

在接口与关键参数方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，DMN2400UFB-7具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和750mA的连续漏极电流（Id）能力，为低电压总线（如5V或3.3V系统）的功率路径管理提供了充足的余量。其采用超紧凑的3-X1DFN1006表面贴装封装，占板面积极小，非常适合空间受限的便携式电子产品。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并能在470mW的功率耗散下稳定运行，确保了在严苛环境下的可靠性。

基于上述特性，DMN2400UFB-7的理想应用场景覆盖了广泛的现代电子设备。它常被用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理单元，作为负载开关、电池保护电路或低压同步整流器中的关键元件。此外，在便携式医疗设备、物联网传感器节点、以及各类消费电子产品的电机驱动、LED背光控制等模块中，其高效率、小尺寸和易驱动的特点都能显著提升产品性能并优化设计布局。

• 型号:DMN2400UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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