DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。该器件采用紧凑的U-DFN1212-3（C类）封装，专为高密度表面贴装应用而优化，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，从而在有限的PCB空间内提供高效的功率控制能力。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为20V，在25°C环境温度下可支持高达900mA的连续漏极电流。其关键优势在于极低的栅极驱动要求，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，确保了与低电压逻辑电平（如1.8V、3.3V、5V）微控制器的直接兼容性，无需额外的电平转换电路。在4.5V的栅源电压驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。

在动态性能方面，DMN2400UFDQ-13表现出色。栅极电荷（Qg）最大值仅为0.5nC，输入电容（Ciss）最大值也控制在37pF，这些参数共同决定了其极快的开关速度，能够有效降低开关过程中的功率损耗，尤其适用于高频PWM控制的应用场景。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其优异的电气特性和微型化封装，这款MOSFET非常适合用于空间受限的便携式电子设备、电池供电系统以及需要高效电源管理的模块中。典型应用包括负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动控制电路、以及智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源分配与保护电路。其设计充分考虑了现代电子设备对高效率、小尺寸和低热耗散的核心需求。

• 型号:DMN2400UFDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 封装/外壳:3-PowerUDFN
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