DMN2400UFDQ-7

Diodes Incorporated推出的DMN2400UFDQ-7是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN1212-3（C类）封装，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡。这种架构使得它在低电压、小电流的开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统的能效。其沟槽技术不仅缩小了单元尺寸，实现了更高的元件密度，还确保了在有限封装尺寸内获得优异的电气性能。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和900mA的连续漏极电流(Id)能力，适用于常见的低压直流电路环境。其关键特性在于极低的驱动要求，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，并且能够在低至1.5V的栅源电压下实现完全导通，这使其与低电压逻辑电路（如1.8V或3.3V微控制器GPIO）直接兼容变得轻而易举，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了设计。在4.5V Vgs条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值远低于600毫欧，确保了在导通状态下具有较低的压降和功率耗散。

在动态性能方面，DMN2400UFDQ-7表现出色。栅极电荷(Qg)最大值仅为0.5nC，输入电容(Ciss)最大值为37pF，这些极低的寄生参数共同决定了其极快的开关速度，能够轻松应对高频PWM控制场景，同时减少驱动级的功率需求。器件支持±12V的栅源电压范围，提供了足够的噪声容限。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，非常适合自动化生产，在追求高可靠性与小型化的应用中，通过正规的DIODES代理渠道获取，能确保供应链的稳定与产品品质。

凭借其综合性能，该器件是便携式设备、电池供电产品以及空间受限应用的理想选择。典型应用包括负载开关、电源管理模块、DC-DC转换器中的同步整流或负载切换，也常用于电机驱动、LED调光控制等需要高效功率开关的场合。其小型化封装和优异的能效表现，使其在物联网终端、可穿戴设备、移动电源及各种消费类电子产品的精密功率控制电路中占据重要地位。

• 型号:DMN2400UFDQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 封装/外壳:3-PowerUDFN
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