DMN24H3D5L-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMN24H3D5L-13采用了先进的平面MOSFET架构，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗的平衡。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的单元结构和沟道设计，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。其栅极氧化层经过特别强化，确保了在高电压应力下的长期可靠性，同时，低栅极电荷特性为高频开关应用奠定了基础。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压高达240V，使其能够从容应对工业级电源和电机控制中的电压应力。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值仅为3.5欧姆（@300mA），这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。此外，其栅极阈值电压最大值为2.5V，并且能在3.3V的低驱动电压下实现良好的导通特性，这使其与常见的3.3V或5V逻辑电平微控制器兼容，无需额外的电平转换电路，简化了设计。低至6.6nC的栅极电荷和188pF的输入电容共同决定了其快速的开关速度，有利于减少开关损耗。

在接口与关键参数方面，DMN24H3D5L-13提供了宽泛的工作条件。其连续漏极电流在环境温度下为480mA，最大栅源电压为±20V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。器件的最大功耗为760mW，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。该器件采用标准的SOT-23表面贴装封装，这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也符合现代电子设备高密度组装的需求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，DMN24H3D5L-13非常适合多种应用场景。在电源管理领域，它常被用于AC-DC适配器、离线式开关电源的次级侧同步整流，以及DC-DC转换器中的功率开关。在电机驱动与控制方面，它可用于驱动小型风扇、泵类或伺服电机中的H桥电路。此外，在工业自动化、电池管理系统以及LED照明驱动等对效率和可靠性有较高要求的场合，该器件也是一个理想的选择。

• 型号:DMN24H3D5L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):480mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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