DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件设计用于在低电压、小电流的开关应用中提供卓越的性能，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的平衡，从而在提升开关效率的同时，有效降低导通损耗与驱动功耗。

该MOSFET的显著特性在于其出色的低栅极驱动电压需求与高效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，确保其能够与1.8V及以上的低压逻辑电平（如微控制器GPIO）直接兼容，简化了驱动电路设计。在4.5V的Vgs驱动下，其导通电阻最大值仅为400毫欧（@600mA），这直接转化为更低的导通压降和功率损耗，对于提升电池供电设备的续航能力至关重要。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为2nC，意味着开关过程中的栅极充放电能量极低，有助于实现高速开关并进一步降低整体系统的开关损耗。

在电气参数方面，DMN2501UFB4-7具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和1A的连续漏极电流（Id）能力，为常见的3.3V、5V及12V低压系统提供了充足的电压裕量。其输入电容（Ciss）最大值仅为82pF，结合低Qg特性，使其对驱动源的电流需求很小。器件采用超小型的X2-DFN1006-3（1.0mm x 0.6mm）封装，具有优异的热性能，最大功耗为500mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理进行采购与咨询。

凭借其紧凑的尺寸、低压驱动兼容性以及优异的能效表现，该器件非常适合空间受限且对功耗敏感的应用场景。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器的同步整流或低侧开关。此外，它也广泛应用于物联网（IoT）节点、模块的功率管理、电机驱动中的预驱动级以及各种消费类电子产品中的信号切换与功率分配功能。

• 型号:DMN2501UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:82 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• 现在可以订购DMN2501UFB4-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。