DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率开关器件。该器件基于金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高效率的功率转换与信号切换。其结构优化了载流子迁移路径，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡，特别注重在低电压驱动下的导通特性与开关速度。该芯片的物理设计确保了在宽温度范围内的稳定工作，其结温范围覆盖-55°C至150°C，为严苛环境应用提供了可靠性保障。

该器件的一个突出特性是其极低的栅极驱动要求与快速的开关响应。栅源阈值电压最大值为1.2V，配合2.7V至4.5V的标准逻辑电平即可实现完全导通，这使其能够无缝对接现代微控制器和数字逻辑电路，无需额外的电平转换或复杂的驱动电路。在4.5V驱动电压下，其导通电阻典型值仅为4欧姆（在400mA条件下），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷极低，最大值仅为0.36nC，这直接转化为极低的开关损耗和极高的开关频率潜力，对于提升系统整体效率至关重要。输入电容最大值也控制在27.9pF，进一步减少了驱动电路的负担。

在电气参数方面，该器件定义了明确的工作边界。其最大漏源电压为25V，连续漏极电流在环境温度下为240mA，最大功耗为280mW。这些参数使其非常适合低电压、小电流的功率路径管理。其封装采用表面贴装型的X2-DFN0806-3，这是一种超小尺寸的3引脚DFN封装，具有优异的热性能和节省PCB空间的特点，非常适合高密度电路板设计。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其技术特性，DMN25D0UFA-7B主要面向空间和效率敏感型的现代电子设备。其典型应用场景包括便携式设备的负载开关、电源管理单元中的功率分配、电池保护电路、低功耗DC-DC转换器的同步整流或开关管，以及各类需要高速、低损耗信号切换的模拟或数字模块。它在物联网传感器节点、可穿戴设备、智能手机附件及各类消费电子产品的板级电源管理中，能够发挥其小体积、高效率、易驱动的综合优势。

• 型号:DMN25D0UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.36 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.9 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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