DMN26D0UT-7

作为Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道MOSFET，DMN26D0UT-7采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构基于成熟的平面工艺，在微型的SOT-523封装内实现了优异的电气特性。该器件设计用于在低电压、小电流的精密控制场景中提供高效的开关性能，其N沟道结构确保了在正向栅极电压驱动下能够实现低阻抗的导通路径，为空间受限的现代电子设计提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的功能特点突出体现在其极低的栅极阈值电压与出色的导通电阻性能上。其最大栅源阈值电压(Vgs(th))在250A漏极电流下仅为1V，这意味着它能够被极低的控制电压（低至1.2V）有效驱动并进入低阻态，非常适合与微控制器、低电压逻辑电路直接接口。在4.5V栅源电压(Vgs)和100mA漏极电流(Id)条件下，其导通电阻(Rds(On))最大值仅为3欧姆，这种低导通阻抗有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效。同时，其输入电容(Ciss)最大值在15V漏源电压下为14.1pF，较小的栅极电荷需求使得开关速度更快，动态损耗更低。

在接口与关键参数方面，DMN26D0UT-7定义了明确的工作边界。其最大漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)在25°C环境温度下可达230mA，最大允许栅源电压(Vgs)为±10V，这为其在多种逻辑电平环境下的安全应用提供了保障。器件的最大功耗为300mW，采用表面贴装型的SOT-523封装，具有极小的占板面积。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，如需获取官方技术支持和批量供应，可以联系DIODES中国代理。

基于上述技术特性，该MOSFET的理想应用场景主要集中在便携式电子设备、电池供电系统以及需要高密度布板的模块中。例如，它可用于智能手机、平板电脑中的负载开关、电源路径管理，或是在物联网传感器节点中控制外围电路的电源通断。其小尺寸和低电压驱动特性也使其成为模拟开关、信号路由以及低侧开关驱动等精密模拟与数字电路的优选元件，在提升系统集成度的同时保证了高效的功率控制。

• 型号:DMN26D0UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14.1 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• 现在可以订购DMN26D0UT-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。