DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率开关器件。该器件采用紧凑的X2-DFN0606-3封装，专为高密度PCB布局和自动化表面贴装工艺而优化，其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过精密的半导体制造工艺实现了优异的电气特性与热性能平衡。其栅极结构设计旨在提供快速开关响应，同时将栅极电荷控制在极低水平，这对于提升高频开关应用的效率至关重要。

该器件具备多项突出的功能特性。其20V的漏源击穿电压（Vdss）与250mA的连续漏极电流（Id）能力，使其非常适合低压、小电流的负载开关与信号切换应用。一个关键优势在于其极低的导通电阻，在4.5V栅源电压（Vgs）和100mA漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为990毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。此外，其极低的栅极电荷（Qg）最大值0.5nC @ 4.5V和输入电容（Ciss）最大值55.2pF @ 16V，显著降低了驱动电路的功率需求，简化了栅极驱动设计，并支持更高的开关频率。

在接口与参数方面，DMN2990UFZ-7B的驱动电压范围宽泛，最小驱动电压低至1.2V即可获得较低的导通电阻，最大栅源电压（Vgs）为±8V，提供了良好的设计余量。其阈值电压Vgs(th)最大值为1V @ 250A，确保了在逻辑电平信号下的可靠开启。器件在-55°C至150°C的结温范围内保持稳定工作，最大功率耗散为320mW（Ta），结合其微小的DFN封装，要求设计时充分考虑PCB的散热设计以发挥其最大性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取正品器件和技术支持。

凭借其小型化、高效率和高可靠性的特点，DMN2990UFZ-7B广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、电源管理模块以及各类需要精密负载控制的场景中。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源路径管理、LED背光驱动、信号隔离开关，以及作为微控制器GPIO口的功率扩展接口，是现代紧凑型电子系统实现高效电能管理的理想选择。

• 型号:DMN2990UFZ-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0606-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:55.2 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0606-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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