DMN2991UDA-7B

Diodes Incorporated推出的DMN2991UDA-7B是一款采用先进工艺制造的双N沟道MOSFET阵列，其核心架构集成了两个性能匹配的增强型MOSFET于一个紧凑的封装内。该器件采用X2-DFN0806-6封装，其无引线设计不仅显著减小了PCB占板面积，还优化了热性能，为高密度电路板布局提供了理想的解决方案。其工作电压范围覆盖8V至24V，漏源击穿电压(Vdss)为20V，确保了在常见低压系统中稳定可靠的运行。

在电气特性方面，DMN2991UDA-7B展现出优异的导通性能，其导通电阻(RDS(on))在Vgs=4.5V、Id=100mA条件下典型值低至990毫欧，这有助于降低导通损耗，提升整体能效。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，结合较低的栅极电荷(Qg，最大值350pC @ 4.5V)和输入电容(Ciss，最大值21.5pF @ 16V)，意味着该器件具备快速的开关速度和较低的驱动功率需求，非常适合高频开关应用。器件在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)额定值为450mA，最大功耗为310mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的鲁棒性。

该MOSFET阵列的接口设计简洁，采用表面贴装形式，便于自动化生产。其双通道独立配置为电路设计提供了高度的灵活性，可用于构建对称的开关对或独立的负载控制路径。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过正规的DIODES一级代理进行采购，是确保获得原装正品和稳定供货的有效途径。其优异的参数组合，包括低导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围，共同构成了其在空间受限且对效率有要求的应用中的核心竞争力。

基于上述特性，DMN2991UDA-7B非常适合应用于便携式电子设备、电池管理系统、负载开关、电源管理模块以及各类信号切换电路中。其小尺寸和双通道集成特性，使其成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品内部进行功率分配与信号路由的理想选择，能够有效帮助工程师简化设计、节省空间并提升系统可靠性。

• 型号:DMN2991UDA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.45A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):450mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:21.5pF @ 16V
• 功率 - 最大值:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-6
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