DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的8-SO表面贴装封装，其核心架构基于优化的沟槽工艺设计，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。通过精心的芯片布局和热设计，该晶体管能够在提供高电流处理能力的同时，有效控制功率损耗和温升，确保在宽温度范围内的稳定性和可靠性。

该器件的一个显著特点是其卓越的低导通电阻特性，在10V栅极驱动电压和15A漏极电流条件下，其Rds(On)最大值仅为7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为64.2nC，结合适中的输入电容，使得开关过程中的栅极驱动损耗得以最小化，特别适合高频开关应用。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性，而2.1V（最大值）的低阈值电压则有助于实现与低压逻辑电平控制器的轻松接口。

在电气参数方面，DMN3007LSSQ-13具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和高达16A的连续漏极电流(Id)承载能力，使其能够应对多种中等功率场景的电压和电流应力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。标准的表面贴装形式简化了PCB设计和组装流程。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其综合性能，该MOSFET非常适合应用于对效率和空间均有要求的领域。其主要应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，特别是用于计算设备、网络通信设备的电源模块。此外，在电机驱动控制、电池保护电路以及各类便携式电子设备的功率管理单元中，它也能作为高效、可靠的开关元件，帮助系统实现更长的运行时间或更紧凑的尺寸设计。

• 型号:DMN3007LSSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2714 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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