DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的X4-DSN3415封装，集成了四个独立的MOSFET单元，旨在为空间受限的现代电子设备提供高密度、高效率的功率开关解决方案。其核心架构优化了单元间的布局与互连，有效降低了寄生参数，确保了在多通道并行工作时的稳定性和均流性能。

该MOSFET具备25V至30V的漏源击穿电压（BVDSS）范围，为低压应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。其设计重点在于实现极低的导通电阻（Rds(on)），这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效，特别适用于电池供电或对热管理有严格要求的场景。通过精心的工艺控制，器件在保证性能的同时，也维持了出色的栅极电荷特性，有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗。

在接口与参数方面，DMN3008SCP10-7的四通道独立设计为电路布局提供了高度的灵活性，允许工程师将其用于多路负载的独立控制或并联以承载更大电流。其紧凑的封装形式（X4-DSN3415）非常适合高密度PCB设计，有助于减少整体解决方案的占板面积。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取该产品，确保元器件的正宗来源和稳定的供货保障。

这款器件典型的应用场景包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的多路DC-DC转换器、电机驱动模块中的H桥或半桥电路，以及需要多路低压大电流开关的通信和计算模块。其高集成度和优良的电气特性使其成为对空间、效率和成本均有考量的现代电子产品设计的理想选择。

• 型号:DMN3008SCP10-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1476 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
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