DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术制造，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件专为在严苛的汽车电子及高可靠性工业环境中实现高效功率切换而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，从而在降低导通损耗的同时，也确保了快速开关性能，有效减少了开关过程中的功率损耗。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气参数。其漏源电压额定值为30V，能够满足常见低压系统的需求。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值低至4.4毫欧（在13.5A条件下），这一低Rds(On)值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压最大值为2.3V，并与4.5V/10V的驱动电压范围良好匹配，使其既能兼容现代低电压逻辑电平控制，也能在更高驱动电压下获得最优的导通性能。其栅极电荷Qg最大值仅为86nC，结合3690pF的输入电容，意味着所需的驱动能量较小，有利于简化驱动电路设计并进一步提升开关速度。

在接口与可靠性参数上，该器件展现了强大的鲁棒性。其连续漏极电流在环境温度下为17.6A，在管壳温度下可达62A，提供了充足的电流处理能力。栅源电压最大可承受±20V，增强了抗栅极电压瞬态冲击的能力。工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在极端温度环境下的稳定运行。其符合汽车级AEC-Q101标准，并通过了相应的可靠性认证，是面向汽车应用（如电机驱动、负载开关、LED照明控制等）以及工业电源管理的理想选择。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品，以确保原装正品和技术支持。

综合其性能，DMN3008SFGQ-13非常适合应用于空间受限且对效率和可靠性要求极高的场景。例如，在汽车领域，可用于电子助力转向系统、燃油泵控制、智能接线盒中的高边/低边开关；在工业领域，则适用于DC-DC转换器的同步整流、电池管理系统中的充放电控制以及各类便携式设备的负载开关。其PowerDI3333封装提供了优异的散热性能和紧凑的占板面积，有助于实现高功率密度的系统设计。

• 型号:DMN3008SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta），62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3690 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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