DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件基于优化的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其设计重点在于降低从栅极到源极的电荷转移损耗，并通过优化的单元结构有效管理热耗散，从而在紧凑的尺寸下支持高电流处理能力，同时确保在宽温度范围内的稳定性和可靠性。

该器件的核心优势体现在其卓越的电气特性上。其最大导通电阻低至4.4毫欧（测试条件为Vgs=10V， Id=13.5A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压典型值较低，且驱动电压范围宽（4.5V至10V），易于被标准逻辑电平或微控制器直接驱动，简化了驱动电路设计。同时，栅极电荷Qg最大值仅为86nC，结合3690pF的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗，特别适用于高频开关应用。其漏源电压额定值为30V，连续漏极电流在环境温度下可达17.6A，结温下高达62A，展现了强大的电流处理能力。

在接口与参数方面，该MOSFET提供了稳健的操作窗口。其栅源电压可承受±20V的最大值，增强了抗栅极过压冲击的鲁棒性。工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，配合900mW的环境温度下最大功耗，使其能够适应苛刻的环境条件。该器件属于Automotive, AEC-Q101产品系列，意味着它通过了严格的汽车级可靠性认证，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的严苛要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号以确保产品正品和质量。

得益于其高性能和小尺寸，DMN3008SFGQ-7非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。它广泛应用于汽车电子领域，如电机驱动（车窗、雨刷、风扇）、LED照明驱动、负载开关及电池管理系统中的保护开关。此外，在工业电源、同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点转换器）以及便携式设备的电源管理模块中，它也是实现高效功率转换和分配的关键元件。其表面贴装形式非常适合自动化高密度PCB组装。

• 型号:DMN3008SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta），62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3690 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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