DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造，封装于TO-252-3（DPAK）表面贴装封装中，为空间受限的紧凑型设计提供了可靠的功率开关解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，从而在30V的中低压工作环境下有效降低传导损耗和开关损耗。

该器件在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流额定值为13.1A，而在管壳温度（Tc）条件下可达43A，展现出强劲的电流处理能力。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压、18A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，且标准驱动电压范围为4.5V至10V，使其能够与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器良好兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DIODES中国代理提供的技术资料显示，DMN3010LK3-13在10V Vgs下的栅极总电荷Qg最大值仅为37nC，配合2075pF（@15V Vds）的输入电容，共同保证了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关电源应用中减少开关损耗。器件支持±20V的栅源电压，提供了较强的栅极可靠性裕度。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。

基于其30V的漏源击穿电压、低导通电阻和高电流能力，DMN3010LK3-13非常适合用于需要高效功率转换和控制的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护电路以及各类负载开关。其TO-252封装具有良好的散热特性，便于通过PCB铜箔进行热管理，满足持续功率耗散的需求。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数和性能表现仍为同类中低压MOSFET的选择提供了重要参考。

• 型号:DMN3010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.1A（Ta），43A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2075 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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