DMN3013LDG-7

DMN3013LDG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI333封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个性能一致的独立MOSFET，其核心架构基于优化的沟槽工艺技术，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供卓越的功率处理能力和开关效率。其设计重点在于降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（BVDSS）为30V，能够可靠地工作在常见的12V或24V总线系统中。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）可达9.5A，若考虑封装底部的散热条件（Tc），电流能力更可提升至15A，展现出强大的电流承载潜力。其导通电阻（RDS(on)）在4A电流和8V栅极驱动电压下典型值仅为14.3毫欧，这一低阻值直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，属于逻辑电平驱动器件，可由微控制器或低电压逻辑电路直接、高效地驱动，简化了驱动级设计。

在动态参数方面，DMN3013LDG-7的栅极总电荷（Qg）在4.5V驱动下最大值仅为5.7nC，输入电容（Ciss）在15V下最大值为600pF，这些极低的电荷与电容参数共同确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，特别适用于高频开关应用。其采用表面贴装型的8-PowerLDFN封装，即PowerDI333，该封装具有极低的热阻和优异的散热性能，有助于将芯片产生的热量快速导出至PCB，确保器件在高达150°C的结温（TJ）下稳定工作，最大功耗为2.16W（Ta）。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其双通道、高电流、低导通电阻和快速开关的特性组合，DMN3013LDG-7非常适合于空间受限且对效率要求严苛的同步整流、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器中的高边或低边开关等应用场景。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）也使其能够应对工业、通信和消费电子等各类环境挑战。

• 型号:DMN3013LDG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.16W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
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