DMN3013LFG-13

DMN3013LFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI333封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个性能一致的独立MOSFET单元，其核心架构基于优化的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的理想平衡。这种集成化设计不仅显著节省了PCB空间，还简化了电路布局，特别适合需要高密度布线的现代电源管理和负载开关应用。

在电气性能方面，该器件展现出卓越的效率。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够为低压系统提供充足的电压裕量。导通电阻（RDS(on)）是关键指标，在Vgs=8V、Id=4A的条件下，其最大值仅为14.3毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低，有助于提升整体系统能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）兼容性良好，便于直接由微控制器或数字信号处理器驱动，无需额外的电平转换电路。

器件的动态特性同样出色。栅极电荷（Qg）最大值仅为5.7nC，结合600pF的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度，能够有效降低开关过程中的过渡损耗，尤其适用于高频PWM应用。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下可达9.5A，在壳温（Tc）条件下更可支持15A，配合2.16W（Ta）的功耗能力，确保了在紧凑封装下的高电流处理能力和可靠性。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链顺畅的重要途径。

得益于其高性能与小型化封装（8-PowerLDFN）的结合，DMN3013LFG-13非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。其主要应用方向包括但不限于：笔记本电脑和台式机的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换、服务器电源模块、电池保护与充放电管理电路、电机驱动H桥中的高端和低端开关，以及各类便携式设备中的电源分配开关。其表面贴装型设计完全符合自动化贴装生产要求，有助于降低制造成本。

• 型号:DMN3013LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.16W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
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