DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个性能一致的独立MOSFET于一个紧凑的8-PowerVDFN封装内，其设计旨在实现高功率密度与卓越的电气性能。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的芯片布局与封装技术，确保了在有限空间内实现高效的热管理和电流处理能力，为需要多路开关或并联应用的设计提供了高度集成的解决方案。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的开关性能与导通特性上。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)可达9.2A，展现出强大的电流承载能力。其导通电阻(RDS(on))在典型工作条件下表现出色，最大值仅为20毫欧 @ 11A, 10V，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V @ 250A，确保了与低电压逻辑电路的兼容性，便于驱动。较低的栅极电荷(Qg，最大值11.3nC @ 4.5V)和输入电容(Ciss，最大值1415pF @ 15V)共同贡献了快速的开关速度，减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)保证了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。这些参数共同定义了一个高效、可靠的功率开关解决方案。

基于其技术特性，DMN3016LDN-13非常适合应用于对空间和效率有高要求的领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载开关、笔记本电脑的电源管理模块、便携式设备的电池保护电路以及各类电机驱动控制中的H桥或半桥电路。其双通道设计尤其适合需要多路独立控制或通过并联以进一步降低导通电阻、提升电流能力的场合，是现代高密度、高效率电源与电机驱动设计的理想选择。

• 型号:DMN3016LDN-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3030-8（J 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 9.2A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3030-8（J 类）
• 现在可以订购DMN3016LDN-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。