DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体结构，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能之间的优异平衡。其紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装不仅优化了PCB空间利用率，其底部裸露的散热焊盘也显著提升了热传导效率，确保器件在高功率密度应用中能够稳定工作。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至12毫欧（在11A条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，最大值仅为2V，确保了与多种逻辑电平控制信号的兼容性，同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为25.1nC，这使其开关速度极快，开关损耗显著降低，尤其适合高频开关应用。此外，其漏源击穿电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）高达12A，为负载提供了可靠的功率处理能力。

在接口与参数方面，DMN3016LFDF-13支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其输入电容（Ciss）在15V条件下最大值为1415pF，结合低Qg特性，意味着对驱动电路的要求更为友好。器件的最大功耗为2.02W，宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其高性能与高可靠性，该器件非常适合应用于对效率和空间有严格要求的现代电子系统中。典型应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类便携式设备、计算设备和消费电子产品的电源管理单元。其优异的开关特性使其成为构建高效率、小尺寸电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMN3016LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.02W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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