DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能平衡。其核心设计旨在优化功率转换效率，通过降低导通电阻和栅极电荷来显著减少开关损耗和传导损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C环境温度下达12A的连续漏极电流（Id）能力，为负载开关和功率路径管理应用提供了坚实的电压与电流余量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）和11A测试条件下，最大值仅为12毫欧，确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，并与最大4.5V/10V的驱动电压要求相结合，使其能够很好地兼容3.3V或5V的逻辑电平控制，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，在10V Vgs条件下，最大栅极总电荷（Qg）仅为25.1nC，结合1415pF（最大值）的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度，有助于在高频开关电源中降低开关损耗。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±20V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，适合自动化生产，能够适应严苛的工业环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取此型号产品。

基于上述特性，DMN3016LFDF-7非常适用于空间受限且对效率要求高的场景。其主要应用方向包括但不限于：作为笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的DC-DC同步整流或负载开关；在分布式电源架构中用于电源轨的切换与分配；以及驱动电机、LED等中等功率负载。其优异的性能参数使其成为设计工程师在构建高效、紧凑型功率管理系统时的理想选择。

• 型号:DMN3016LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.02W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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