DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在TO-252（DPAK）表面贴装封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。该器件专为在低电压、大电流开关应用中实现高效率而设计，其低导通电阻特性确保了在导通状态下具有最小的功率损耗。

该MOSFET的显著功能特点包括其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和11A漏极电流条件下，其Rds(On)最大值仅为12毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其较低的栅极电荷（Qg最大值25.1nC @ 10V）和输入电容有助于减少开关过程中的损耗，提升开关速度，使得它非常适用于高频开关场景。器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和12.4A的连续漏极电流能力，提供了可靠的电压和电流裕量。

在接口与关键参数方面，DMN3016LK3-13拥有宽泛的栅极驱动电压范围，标准驱动电压为4.5V至10V，且栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了设计的鲁棒性。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.3V，确保了与常见逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性。热性能方面，器件的结温工作范围覆盖-55°C至150°C，最大功率耗散为1.6W（环境温度Ta下），结合TO-252封装良好的散热能力，能够满足多数应用的热管理需求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理进行采购与咨询。

基于其性能组合，该器件非常适合应用于需要高效功率转换和管理的领域。典型应用场景包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流和负载开关，尤其是在分布式电源架构、计算机主板和显卡的VRM（电压调节模块）中。此外，它也适用于电机驱动控制、电池保护电路、低压大电流的电源管理模块以及各类便携式电子设备的功率分配系统，为设计工程师提供了一个高性价比、高可靠性的功率开关解决方案。

• 型号:DMN3016LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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