DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效散热而设计。其核心基于优化的单元结构，旨在在低栅极驱动电压下实现极低的导通电阻，从而显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

该MOSFET的突出特性在于其优异的开关性能与导通特性平衡。在10V栅源电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至12毫欧（在20A条件下测量），这确保了在大电流通过时产生的热量最小化。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为25.1nC，结合适中的输入电容，意味着器件具备快速的开关速度，能够有效降低开关过程中的损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，最大值仅为2V，确保了与低电压逻辑电平驱动的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，DIODES芯片代理提供的这款器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在环境温度25°C下连续漏极电流（Id）可达10.8A，最大允许栅源电压为±20V，提供了安全的操作裕度。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠性。尽管其标称最大功耗为1.18W（Ta），但得益于PowerDI5060封装优异的散热性能，在实际应用中能够处理更高的功率水平。

凭借其低导通电阻、快速开关能力以及紧凑的封装，DMN3016LPS-13非常适合应用于空间受限且对效率要求高的DC-DC转换器中，如同步整流、负载点（POL）转换和电机驱动中的低侧开关。它也常见于各类电源管理模块、电池保护电路以及需要高效功率切换的便携式设备中，是工程师实现高性能、高可靠性电源设计的优选器件之一。

• 型号:DMN3016LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.18W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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