DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高功率密度和高效散热设计，其核心架构优化了电流通路与栅极控制，旨在实现低导通损耗与快速开关性能的平衡。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通电阻表现，在10V栅极驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为21毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，结合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其既能与标准逻辑电平兼容，又能在较高驱动电压下获得更优的导通性能。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13.2nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数方面，DMN3018SFG-13具备30V的漏源击穿电压（Vdss），可承受高达±25V的栅源电压（Vgs），提供了稳健的栅极保护。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为8.5A，最大功耗为1W。其输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为697pF，较低的电容值有助于进一步优化开关动态性能。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要本地化技术支持和稳定供货的客户，可以通过DIODES中国代理获取详细的产品资料和供应链服务。

凭借其低导通电阻、低栅极电荷和高电流处理能力的组合，这款MOSFET非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，尤其是在服务器、通信设备、笔记本电脑的电源模块中。此外，它也适用于电机驱动控制、电池保护电路以及各类便携式电子设备的功率管理单元，是实现高效、紧凑电源解决方案的关键元件。

• 型号:DMN3018SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:697 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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