DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装8-SOIC封装的双N沟道增强型功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门控MOSFET，其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的优化平衡。这种集成化的双通道设计不仅节省了宝贵的PCB空间，还简化了电路布局，特别适用于需要紧凑型功率开关解决方案的场合。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气性能。其漏源击穿电压(Vdss)为30V，能够满足多种低压直流系统的需求。在25°C环境温度下，每个通道的连续漏极电流(Id)额定值高达6.7A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，其导通电阻(RDS(on))在10V栅源电压(Vgs)和10A漏极电流(Id)条件下，最大值仅为22毫欧。极低的导通损耗直接转化为更高的系统效率和更低的温升，这对于提升设备可靠性和延长电池寿命至关重要。

作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.1V，这意味着它可以直接由3.3V或5V的微控制器、数字信号处理器等逻辑电路轻松驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。同时，其栅极总电荷(Qg)最大值仅为13.2nC，配合697pF的输入电容(Ciss)，共同确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并提高高频应用下的性能。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商进行采购与咨询。

综合其接口与参数，DMN3018SSD-13非常适合于空间受限且对效率有高要求的应用场景。它常见于服务器和通信设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动控制电路、电池管理系统(BMS)中的保护开关，以及各类便携式电子设备中的电源分配管理模块。其表面贴装形式和紧凑的封装尺寸，使其能够完美融入高密度PCB设计，是现代高效能、小型化电子系统的理想功率开关选择。

• 型号:DMN3018SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:697pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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