DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用紧凑的8-TSSOP表面贴装封装，集成了优化的单元结构，有效降低了栅极电荷和寄生电容，从而提升了整体能效和开关频率响应能力。其内部架构经过精心设计，确保了在宽泛的工作温度范围内（-55°C至150°C结温）保持稳定的电气性能。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源电压额定值为30V，连续漏极电流在壳温条件下可达15A，为中等功率应用提供了充足的裕量。其关键优势在于极低的导通损耗，在4.5V栅源驱动电压和4.5A漏极电流条件下，导通电阻典型值仅为20毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压最大值为1V，且支持低至1.8V的逻辑电平驱动，使其能够轻松兼容现代微控制器和低压数字电路，简化了驱动电路设计。此外，其最大栅极电荷仅为27nC，输入电容也得到有效控制，这共同促成了快速的开关瞬态和降低的开关损耗。

在接口与参数方面，该器件提供了稳健的电气规格。其栅源电压最大耐受值为±12V，增强了抗栅极过压冲击的能力。功率耗散能力在环境温度下为1.4W，结合其低热阻封装，有利于热管理。这些参数共同定义了一个高效、可靠的功率开关解决方案。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

基于其性能组合，DMN3020UTS-13非常适合多种应用场景。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及电池管理系统的功率路径控制。其表面贴装形式和优异的电气特性，使其成为空间受限且对效率有高要求的便携式设备、消费电子产品和工业模块中的理想选择。

• 型号:DMN3020UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1304 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173\\
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