DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的6引脚U-DFN2020-6（F类）封装，专为高密度PCB布局而优化，其底部的裸露焊盘不仅提供了卓越的散热性能，也确保了在有限空间内实现高效的热管理。其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的理想平衡，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其优异的低导通电阻（Rds(on)）表现，在10V栅极驱动电压（Vgs）和7A漏极电流（Id）条件下，其最大值仅为15毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使其在开关电源和电机控制等应用中能够显著减少功率耗散。同时，其低栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC @ 10V，配合2.2V（最大值）的低阈值电压（Vgs(th)），意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度并降低开关损耗，从而提升高频应用的性能。

在电气接口与参数方面，DIODES授权代理提供的这款器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），可安全用于常见的12V或24V总线系统。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定值为11.8A，展现了强大的电流处理能力。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合2.03W（Ta）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。

基于上述技术特点，DMN3021LFDF-13非常适合应用于对效率和空间均有高要求的场景。它常见于同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及低压电机驱动中。其快速开关能力和低损耗特性使其成为便携式设备、计算主板和分布式电源架构中功率转换级的理想选择，能够有效帮助设计工程师提升终端产品的能效与功率密度。

• 型号:DMN3021LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:706 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.03W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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