DMN3022LDG-13

作为一款采用先进工艺制造的功率MOSFET，DMN3022LDG-13集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET，构成一个高效的双通道阵列。其核心架构基于Diodes Incorporated优化的沟槽技术，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，从而在紧凑的封装内提供卓越的功率处理能力。该设计显著降低了传导损耗和开关损耗，为高密度、高效率的电源转换应用奠定了坚实基础。

该器件在电气性能上表现突出，其漏源电压（Vdss）额定为30V，能够稳定工作在多种低压场景。其导通电阻（RDS(on)）在典型工作条件下表现出色，例如在Vgs=5V、Id=10A时，最大值可低至8毫欧，这直接转化为更低的功率损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值经过优化，确保了快速的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损失，并简化驱动电路的设计。对于需要可靠供应链的客户，通过DIODES一级代理可以获得稳定的供货与技术支援。

在接口与参数方面，该MOSFET采用热性能优异的8-PowerLDFN表面贴装封装，这种封装形式具有良好的散热特性，有助于将结温（TJ）控制在-55°C至150°C的宽泛工作范围内。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定为7.6A，而在管壳温度（Tc）下可达15A，展现了强大的电流承载能力。这些参数共同保证了器件在高负载下的可靠性与长期稳定性。

凭借其低导通电阻、高开关频率兼容性以及出色的热管理能力，DMN3022LDG-13非常适用于空间受限且对效率要求苛刻的应用。典型应用场景包括但不限于DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动控制电路、负载开关以及各类便携式电子设备、计算设备和通信基础设施的电源管理模块。其双通道设计也为需要多路开关或并联以降低阻抗的拓扑结构提供了便利的解决方案。

• 型号:DMN3022LDG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A，1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:481pF @ 15V，996pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.96W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
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