DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通损耗与高效率开关性能的平衡。其30V的漏源击穿电压（Vdss）为低压应用提供了充足的安全裕度，而优化的单元结构则有效降低了导通电阻和寄生电容，这是实现其高性能指标的基础。

该MOSFET的突出特性在于其优异的低导通电阻（Rds(on)）与高电流处理能力的匹配。在10V栅极驱动电压（Vgs）下，其导通电阻典型值仅为24毫欧（在7A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和发热。同时，器件在25°C环境温度下可支持高达9.78A的连续漏极电流（Id），峰值电流能力则更高，使其能够胜任功率路径中的主开关或同步整流角色。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，并与4.5V至10V的标准驱动电压范围良好兼容，确保了在3.3V或5V逻辑电平下的可靠开启与高效驱动。

在动态开关特性方面，DIODES代理提供的详细参数显示，DMN3024LK3-13拥有较低的栅极电荷（Qg，最大值12.9nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值608pF @ 15V）。这些参数共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关过渡期间的损耗，提升系统在较高频率下的整体效率。器件的栅源电压耐受范围为±20V，提供了良好的抗栅极噪声能力。其最大功耗为2.17W（Ta），结合TO-252-3封装良好的热性能，能够有效管理功率耗散。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则确保了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。

基于上述技术特性，DMN3024LK3-13非常适用于需要高效率、高功率密度的低压DC-DC转换场景。其典型应用包括计算机主板、显卡的VRM（电压调节模块）、服务器电源的次级侧同步整流、各类负载点（PoL）转换器，以及便携式设备、网络设备和工业控制系统中基于电池或适配器供电的功率管理电路。在这些应用中，它能够有效提升能源利用率，减小解决方案的尺寸和热设计复杂度。

• 型号:DMN3024LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.78A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:608 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.17W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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