DMN3024SFG-13

Diodes Incorporated推出的DMN3024SFG-13是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体结构，在紧凑的PowerDI3333-8封装内实现了优异的电气性能与热管理能力，其设计旨在为现代高密度电源和负载开关应用提供高效、可靠的解决方案。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，其Rds(on)最大值仅为23毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在10.5nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗并支持更高频率的开关操作。其栅源电压（Vgs）耐受范围高达±25V，提供了稳健的栅极驱动鲁棒性。

在电气参数方面，DMN3024SFG-13的额定漏源电压（Vdss）为30V，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）可达7.5A。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为2.4V（@250A），使其能够与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动IC轻松兼容，简化了驱动电路设计。器件采用表面贴装型PowerDI3333-8封装，该封装具有优异的热性能，其最大功率耗散为900mW（Ta），并且结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其高效率、快速开关和易于驱动的特点，这款MOSFET非常适合应用于对空间和能效有严格要求的领域。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与负载管理开关，以及各类便携式设备、消费电子和工业自动化设备中的电源管理模块。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与供应链可靠性的重要途径。

• 型号:DMN3024SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:479 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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