DMN3024SFG-7

DMN3024SFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高功率密度和高效散热的应用场景而设计。其核心架构基于优化的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，从而在开关电源、电机控制等电路中有效降低传导损耗和开关损耗。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在低压应用中表现出色。其漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达7.5A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压(Vgs)和10A测试条件下最大仅为23毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的通态压降和功率耗散，有助于提升系统整体效率。器件的栅极阈值电压(Vgs(th))典型值较低，最大为2.4V，且标准逻辑电平驱动电压(4.5V至10V)即可实现完全导通，这简化了驱动电路设计，使其能够方便地与微控制器或低压逻辑电路接口。

在动态性能方面，DIODES中国代理提供的技术资料显示，DMN3024SFG-7的栅极总电荷(Qg)在10V条件下最大为10.5nC，输入电容(Ciss)在15V下最大为479pF。这些相对较低的电荷参数意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于实现更高的开关频率并减少驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件的工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。其表面贴装型PowerDI3333-8封装不仅节省了PCB空间，其裸露的散热焊盘也优化了热性能，允许最大功率耗散达到900mW。

综合其电气与封装特性，DMN3024SFG-7非常适合于需要高效率和小尺寸的各类电源管理应用。典型应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑、以及电池保护电路或便携式设备中的功率分配模块。其平衡的性能参数使其成为工程师在低压、中电流开关解决方案中一个值得考虑的高性价比选择。

• 型号:DMN3024SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:479 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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