DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）封装，专为高功率密度和高效散热设计，其核心架构优化了电流通路和栅极控制，实现了在紧凑空间内处理高电流的能力。其技术基础确保了在开关应用中快速响应和低损耗，是要求高效率电源转换和电机控制系统的理想选择。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通电阻性能，在10V栅源电压和7A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为18毫欧。这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为9.8nC @ 10V，结合适中的输入电容，意味着它需要更少的驱动能量即可实现快速开关，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V之间均可实现良好的导通特性，兼容多种逻辑电平，增强了设计的灵活性。

在电气参数方面，DMN3025LFV-13具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和高达25A的连续漏极电流（Tc=25°C）处理能力，能够承受较高的功率负载。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V @ 250A，提供了明确的开启点。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并符合AEC-Q101标准，满足汽车电子应用对可靠性和环境适应性的严苛要求。表面贴装的封装形式也适应了现代自动化生产的需求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取产品详情与供货服务。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制（如无人机、小型机器人）、电池保护电路以及汽车电子中的各种电源管理模块。其符合汽车级标准，尤其适用于车身控制模块、LED照明驱动和信息娱乐系统等需要高可靠性的车载环境。

• 型号:DMN3025LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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