DMN3025LFV-7

DMN3025LFV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能与热管理能力，其设计核心在于优化功率密度与开关效率的平衡，以满足现代高密度电源设计的需求。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为30V，在25°C壳温条件下可支持高达25A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）表现突出，在10V栅极驱动电压（Vgs）和7A漏极电流条件下，典型值仅为18毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极驱动特性经过优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，且栅极总电荷（Qg）在10V Vgs下最大仅为9.8nC，配合较低的输入电容（Ciss），确保了快速、高效的开关切换，有效降低了开关损耗，尤其适用于高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件支持4.5V至10V的标准栅极驱动电压范围，以实现最小导通电阻，同时栅源电压可承受±20V的最大值，提供了良好的驱动鲁棒性。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为900mW（环境温度Ta下），结合PowerDI3333封装优良的热性能，确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，DMN3025LFV-7非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的场景。其主要应用方向包括但不限于：服务器、通信设备的负载点（POL）同步整流和DC-DC转换器、笔记本电脑和台式机的电源管理模块、电机驱动控制电路中的功率开关，以及各类便携式电子设备的电池保护与功率分配单元。其表面贴装形式也完全适配自动化生产流程。

• 型号:DMN3025LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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