DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，集成了高性能的硅基MOSFET核心，其设计重点在于优化功率密度与开关效率的平衡。其架构通过精密的沟槽栅极设计，有效缩短了载流子沟道，从而在保持低栅极电荷的同时，显著降低了导通电阻，这对于提升整体能效和减少热损耗至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下可支持高达6.6A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压和6.5A漏极电流条件下，典型值仅为23毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和更高的效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或数字逻辑电路直接驱动，简化了系统设计。

在动态参数方面，DMN3026LVT-7同样表现优异。其最大栅极总电荷（Qg）在10V条件下仅为12.5nC，输入电容（Ciss）在15V条件下最大值为643pF，这些低电荷和电容特性共同确保了快速的开关速度，有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了充足的驱动安全裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装型TSOT-26封装，功率耗散能力为1.2W，非常适合高密度PCB布局。

凭借其优异的性能组合，该器件是众多低压、高电流开关应用的理想选择。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、负载开关以及电池管理电路。其紧凑的封装和高效能特性，使其在空间受限的便携式设备、计算主板、消费电子及工业控制模块中极具优势。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术支持与供货保障。

• 型号:DMN3026LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:643 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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