DMN3026LVTQ-13

Diodes Incorporated推出的DMN3026LVTQ-13是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于硅基金属氧化物半导体（MOS）技术构建，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。紧凑的TSOT-26封装集成了优化的单元结构，有效降低了寄生参数，为高效率功率转换和开关控制提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和6.6A的连续漏极电流（Id）能力，展现出稳健的功率处理性能。其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压（Vgs）和6.5A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为23毫欧。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，并与低至12.5nC的栅极总电荷（Qg）相结合，确保了器件能够被标准逻辑电平（如5V或3.3V）高效驱动，并实现快速的开关瞬态响应，这对于降低开关损耗和提升系统频率至关重要。

在电气接口与参数方面，DMN3026LVTQ-13支持高达±20V的栅源电压，提供了充足的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）在15V Vds条件下最大值为643pF，较低的电容值进一步助力于减少驱动电路的功率需求并提升开关速度。器件采用表面贴装型TSOT-26封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了散热路径。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为1.2W，适用于各种环境条件下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号以确保产品正品与供货稳定。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合应用于对效率和空间均有严苛要求的场景。它常被用于DC-DC同步整流转换器中的低压侧开关、电机驱动控制电路、负载开关以及电池管理系统的保护与切换模块。在便携式设备、分布式电源架构和自动化控制系统中，DMN3026LVTQ-13能够有效提升能效，减少热量产生，并助力实现终端产品的小型化与高可靠性设计。

• 型号:DMN3026LVTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:643 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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