DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为表面贴装工艺设计，在有限的PCB空间内实现了优异的功率处理能力与热性能。其核心架构基于优化的单元设计，旨在显著降低导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中实现高效率与低损耗的平衡。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和5.3A的连续漏极电流(Id)能力，为低压、大电流应用提供了坚实的保障。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V驱动电压(Vgs)和10A测试条件下，Rds(on)最大值仅为18.6毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更优的温升表现。同时，其栅极驱动设计友好，最大栅源电压(Vgs)为±25V，而栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.8V，配合仅11.3nC的最大栅极总电荷(Qg)，使得器件能够被快速驱动，显著降低开关损耗，提升系统在高频下的工作效率。

在电气参数方面，该器件在4.5V至10V的驱动电压范围内即可实现优异的导通特性，兼顾了低电压驱动与高性能的需求。其输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为580pF，较小的电容值有助于简化驱动电路设计并减少驱动功率需求。器件的额定功率耗散为1W，结合PowerDI3333-8封装良好的热传导路径，确保了在-55°C至150°C结温范围内的可靠工作。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理进行采购与咨询。

凭借其综合性能，DMN3027LFG-7非常适合应用于对效率和空间均有严苛要求的场景。其主要应用方向包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，特别是在单节或多节锂电池供电的便携式设备中。此外，它也适用于电机驱动控制、低压大电流的电源管理模块以及各类需要高效功率切换的消费电子和工业产品中，是实现高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMN3027LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18.6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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